Прозрачный гибкий экран Flim

Команда Массачусетского технологического института опубликовала результаты исследований полноцветных вертикальных микросветодиодов

Согласно новостям от 3 февраля, исследовательская группа под руководством MIT недавно объявила в журнале Nature, что команда разработала полноцветный вертикальный многослойный микросветодиод с плотностью матрицы до 5100 PPI и размером всего 4 мкм. Утверждается, что это микросветодиод с самой высокой плотностью матрицы и самым маленьким размером, известным в настоящее время.

Команда Массачусетского технологического института публикует результаты исследований полноцветных вертикальных микросветодиодов (1)

По имеющимся данным, для достижения высокого разрешения и миниатюрных размеров микросветодиодов исследователи использовали технологию переноса слоев на основе двумерных материалов (2DLT).

Команда Массачусетского технологического института публикует результаты исследований полноцветных вертикальных микросветодиодов (2)
Команда Массачусетского технологического института публикует результаты исследований полноцветных вертикальных микросветодиодов (3)

Эта технология позволяет выращивать RGB-светодиоды толщиной почти субмикрон на двумерных подложках с покрытием из материала с помощью таких производственных процессов, как удаленная эпитаксия или выращивание методом ван-дер-ваальсовой эпитаксии, механическое высвобождение и штабелирование светодиодов.

Исследователи особо отметили, что высота стековой структуры всего 9 мкм является ключом к созданию массива микросветодиодов с высокой плотностью размещения.

Исследовательская группа также продемонстрировала в статье вертикальную интеграцию синего микросветодиода и кремниевых пленочных транзисторов, которая подходит для приложений привода активной матрицы AM. Исследовательская группа заявила, что это исследование обеспечивает новый путь для производства полноцветных микросветодиодных дисплеев для AR/VR, а также обеспечивает общую платформу для более широкого спектра трехмерных интегрированных устройств.

Источник всех изображений - журнал "Nature".

Ссылка на эту статью

ClassOne Technology, известный поставщик оборудования для гальванопокрытия полупроводников и обработки поверхности в США, объявила, что поставит систему гальванопокрытия с монокристаллическим источником Solstice® S8 производителю микросветодиодов. Сообщается, что эти новые системы будут установлены на новой производственной базе заказчика в Азии для массового производства микросветодиодов.

Команда Массачусетского технологического института публикует результаты исследований полноцветных вертикальных микросветодиодов (4)

Источник изображения: ClassOne Technology

ClassOne представила, что система Solstice® S8 использует ее фирменный электролитический реактор GoldPro, который может повысить эффективность и скорость производства и снизить затраты на оборудование. Кроме того, система Solstice® S8 использует уникальную технологию профиля движения жидкости ClassOne для обеспечения высоких скоростей нанесения покрытия и ведущей однородности характеристик покрытия. ClassOne ожидает, что система Solstice® S8 начнет поставляться и устанавливаться во втором квартале этого года.

Компания ClassOne заявила, что этот заказ доказывает, что функциональность платформы Solstice является для клиентов ключом к ускорению подготовки продукции Micro LED к запуску, а также подтверждает, что компания ClassOne обладает ведущими возможностями обработки отдельных пластин и технологическим статусом в области Micro LED.

Согласно данным, ClassOne Technology имеет штаб-квартиру в Калиспелле, штат Монтана, США. Компания может поставлять различные системы гальванопокрытия и влажной обработки для оптоэлектроники, энергетики, 5G, Micro LED, MEMS и других рынков приложений.

В апреле прошлого года компания ClassOne поставила систему гальванизации одной пластины Solstice® S4 стартапу Raxium, производящему микродисплеи Micro LED, чтобы помочь ему разработать микродисплеи Micro LED для дополненной и виртуальной реальности и способствовать массовому производству продукции.


Время публикации: 09.11.2023